程新利
,
林志浪
,
王永进
,
肖海波
,
张峰
,
邹世昌
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.007
利用 SIMOX技术和硅外延工艺制备了厚膜 SOI材料.采用 Secco液腐蚀、椭圆偏振仪 (SE)、 扩展电阻 (SRP)等技术对材料的性能进行了表征,分析了外延硅层中缺陷产生的主要原因.外延层 电阻率纵向分布均匀 ,其缺陷主要来源于衬底缺陷延伸和表面的不平整.用制备的厚膜 SOI材料 制作了脊型光波导并完成了光损耗测试实验 ,得到了传输损耗为 0.4dB/cm的波导结构.
关键词:
厚膜 SOI材料
,
缺陷
,
光波导
